3月3日，国产存储芯片巨头兆易创新正式发布公告，宣布公司拟以自有资金4亿元作为有限合伙人，认购上海石溪兆易智芯创业投资合伙企业（拟定名）约25.87%的基金份额，一举成为该基金第一大有限合伙人。公告明确，本次投资不构成关联交易及重大资产重组，不会影响公司主营业务正常开展。据悉，该创投基金总认缴出资额达15.46亿元，募集上限为20亿元，由北京石溪清流私募基金管理有限公司担任普通合伙人及基金管理人，

全球存储芯片巨头美光科技，近期在印度古吉拉特邦萨南德（Sanand）正式启用其在当地的首个半导体封装测试工厂。这一布局不仅是美光深化全球制造网络、完善后端产能布局的重要一步，更成为印度半导体产业发展的重要推力，助力印度进一步提升在全球半导体价值链中的地位，加速其从软件优势向硬件制造转型的进程。该工厂的落地，也是美光响应全球供应链多元化趋势、贴近区域市场需求的关键举措，契合当前全球半导体产业布局调整

英特尔CEO陈立武发出明确警告，全球存储芯片短缺并非短期问题，大概率将长期持续，成为困扰行业发展的核心难题。据彭博社报道，陈立武在周二思科系统公司的会议上表示，目前短缺现象毫无缓解迹象。陈立武透露，他已与存储芯片领域两大核心企业深度沟通，对方明确表示，直至2028年，存储芯片短缺问题都无法得到改善，意味着短缺周期至少持续两年，将深刻影响全产业链布局。短缺根源直指AI产业扩张——人工智能基础设施大规

1月11日，全球存储芯片市场掀起“史上最强”涨价狂潮，DRAM价格持续飙升引发科技巨头抢货大战。据报道，谷歌、微软、Meta等美国科技企业紧急派遣采购团队奔赴韩国，不计成本争夺紧缺DRAM货源，业内戏称这些扎堆抢货的团队为“DRAM乞丐团”。韩国板桥、平泽地区的酒店已被各大企业采购团队挤爆，他们每日往返三星、SK海力士总部洽谈合作，只为锁定货源。这两家韩国巨头合计掌控全球绝大部分DRAM供应链，成

12月10日集邦科技（TrendForce）发布最新报告显示，临近年底，不同类型DRAM产品走势出现分歧：DDR5与DDR3在前期大幅上涨后迎来小幅回调，而DDR4尤其是16Gb产品涨势依旧强劲；与此同时，NANDFlash现货市场在供应端支撑下持续刷新历史高点，行业成本传导逻辑全面兑现。DRAM市场的分化走势尤为值得关注。DDR5与DDR3本周的温和回落，核心源于部分现货交易商的年底获利了结操作

11月27日，三星电子一则组织架构调整公告搅动全球存储市场——成立仅一年多的HBM（高带宽内存）特别开发团队正式解散，相关人员与研发业务全部并入DRAM开发部门旗下的设计团队。韩媒BusinessKorea于11月28日披露，这一变动在三星高管通报会上正式官宣，标志着其HBM业务从“应急攻关”阶段迈入“常态化发展”新阶段。此次调整的核心脉络清晰可见：原HBM团队负责人孙永秀副社长，将出任DRAM部

QLCNANDUFS存储器正成为行业焦点，相比传统TLC架构，它兼具更高存储密度与更高性价比，但对存储控制器和固件的要求也更严苛。依托主控芯片技术的长期积累与研发投入，晶存旗下妙存科技推出新品——QLCNANDUFS2.2存储器。值得一提的是，妙存科技已于去年底率先发布UFS控制器及模组产品，此次新品旨在为终端市场提供“性能+高性价比”双优的存储方案。妙存QLCNANDUFS2.2：四大核心优势1

进入第四季度，由于消费电子市场需求持续疲软，存储芯片供应链库存仍旧高企，价格跌幅不断扩大。全球市场研究机构TrendForce集邦咨询数据显示，今年第四季度DRAM价格跌幅将扩大至13~18%，NANDFlash在第四季度同样维持下跌趋势，价格跌幅则将扩大至15~20%。存储芯片市场迎来下行周期，产业变得愈发保守起来，比如缩减产能、灵活调整资本支出。美光科技预计2023财年资本支出为80亿美元，同

美国芯片制造商美光科技(MicronTechnology)首席商务官苏密特-萨达纳告诉日经新闻，该公司将于今年年底前在它的广岛工厂开始大规模生产先进的DRAM内存芯片。美光公司已经宣布计划开始在台湾省使用其所谓的"1-beta"技术生产动态随机存取存储器。萨达纳在接受采访时说，该公司正在与日本政府和设备制造商等商业伙伴进行协调，以便在日本也开始生产。他没有透露广岛工厂的投资规模，但他说制造这种芯片

12月2日，深圳市朗科科技股份有限公司（以下简称“朗科科技”）发布公告称，公司拟与正源芯半导体（深圳）有限公司（以下简称“正源芯”）设立合资公司，合作建设存储芯片封装测试工厂，有利于公司加深产业链上游扩张与合作，符合公司目前的战略规划和经营发展的需要。公告显示，合资公司注册资本拟定为人民币5000万元，其中朗科科技认缴出资2750万元，认缴出资比例为55%；正源芯认缴出资2250万元，认缴出资比例